企业简介
成都东骏激光股份有限公司
成都东骏激光股份有限公司的工商信息
- 510131000001747
- 91510131728061340B
- 存续（在营、开业、在册）
- 其他股份有限公司(非上市)
- 2001年04月27日
- 毛冬
- 6000.000000
- 2001年04月27日 至 2021年04月18日
- 成都市工商行政管理局
- 2016年12月07日
- 四川成都蒲江县鹤山镇工业开发区
- 开发、制造、加工、销售光电子器件及其它光学电子通讯器材和设备（以上核准项目不含法律、法规和国务院决定需要前置审批或许可的项目）；经营本企业自产产品及技术的出口业务；经营本企业生产所需的原辅材料、仪器仪表、机械设备、零配件及技术的进口业务（国家限定公司经营和国家禁止进出口的商品除外）；经营进料加工和“三来一补”业务，技术咨询服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。
成都东骏激光股份有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 成都东骏激光股份有限公司 | http://www.dj-laser.com/ |
成都东骏激光股份有限公司的商标信息
成都东骏激光股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205275776U | 一种晶体生长炉籽晶杆系统的多点可活动连接与稳固装置 | 2016.06.01 | 本实用新型属于晶体生长技术领域，尤其涉及一种晶体生长炉籽晶杆系统的多点可活动连接与稳固装置，包括晶体 |
| 2 | CN105220234A | 一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法。通过在中性或氧化性气氛条件下对晶 |
| 3 | CN104294365A | 一种钼坩埚生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的工艺 | 2015.01.21 | 本发明公开了一种用钼坩埚进行掺铈硅酸钇镥闪烁晶体生长工艺，属于闪烁晶体制备技术领域；所述闪烁晶体生长 |
| 4 | CN204080175U | 坩埚下降法生长炉的坩埚杆密封机构及生长炉 | 2015.01.07 | 本实用新型公开了一种适用于大尺寸蓝宝石坩埚下降法生长炉的坩埚杆密封机构；所述坩埚杆密封机构包括坩埚杆 |
| 5 | CN104180925A | 一种位移测温法 | 2014.12.03 | 本发明属于温度检测领域，尤其涉及一种位移测温法，其特征在于：炉中具有固定物、测温物和位移物，确定测温 |
| 6 | CN104073877A | 一种坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法 | 2014.10.01 | 本发明公开了一种利用坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法，包括：（1）将原料组分制成固相反应料； |
| 7 | CN104005082A | 一种大尺寸掺铈铝酸钇闪烁晶体的生长工艺 | 2014.08.27 | 本发明为一种大尺寸掺铈铝酸钇闪烁晶体的生长工艺。该工艺采用圆弧底型铱金坩埚作发热体，晶体的原料包括： |
| 8 | CN101931160B | 一种激光增益介质 | 2013.06.26 | 本发明公开了一种激光增益介质，激光增益介质的一端与调Q晶体一端键合。特别是激光增益介质具有内凹或外凸 |
| 9 | CN102215612B | 一种感应加热晶体生长用感应线圈的制作方法 | 2012.10.24 | 本发明公开了一种感应加热晶体生长用感应线圈的制作方法，采用了独特的绕制模具，能够方便快速地绕制有限匝 |
| 10 | CN102248261A | 大尺寸异型薄壁坩埚的焊接方法 | 2011.11.23 | 本发明公开了一种大尺寸异型薄壁坩埚的焊接方法，通过采用钼坩锅焊接装置为坩埚焊接提供真空气氛，然后充氩 |
| 11 | CN102215612A | 一种感应加热晶体生长用感应线圈的制作方法 | 2011.10.12 | 本发明公开了一种感应加热晶体生长用感应线圈的制作方法，采用了独特的绕制模具，能够方便快速地绕制有限匝 |
| 12 | CN101722470B | 一种激光晶体的加工方法 | 2011.09.28 | 本发明公开了一种超薄激光晶体的加工方法，属于晶体加工技术领域，包括将在真空吸附垫无粘性的一面均匀涂上 |
| 13 | CN101328604B | 大尺寸异形薄壁钼坩埚的制造方法及专用热压炉 | 2011.06.22 | 本发明涉及一种大尺寸异形薄壁钼坩埚及其制造方法及专用热压炉，将钼圆片放置在专用热压炉内的专用模具内， |
| 14 | CN101319389B | 一种钆镓石榴石平界面晶体的制备方法 | 2011.05.11 | 本发明公开了一种钆镓石榴石平界面晶体的制备方法，属于光学晶体技术领域；本发明在GGG晶体的原料配方中 |
| 15 | CN101323978B | 大尺寸蓝宝石晶体制备工艺及其生长装置 | 2011.03.23 | 本发明涉及一种大尺寸蓝宝石晶体制备技术及其生长装置，所述制备技术包括如下步骤：(1)将称量好的高纯三 |
| 16 | CN101338453B | 大尺寸无核心YAG系列激光晶体的生长方法 | 2011.02.16 | 本发明公开了一种大尺寸无核心YAG系列激光晶体的生长装置及其生长方法；本发明属于激光晶体结晶工艺学领 |
| 17 | CN101312285B | 高综合性能激光晶体及其制备方法 | 2011.01.26 | 本发明公开了一种高综合性能激光晶体及其制备方法，属于固体激光技术领域，该高综合性能激光晶体包括棒状激 |
| 18 | CN101931160A | 一种激光增益介质 | 2010.12.29 | 本发明公开了一种激光增益介质，激光增益介质的一端与调Q晶体一端键合。特别是激光增益介质具有内凹或外凸 |
| 19 | CN101831692A | 提拉法晶体生长自动控制装置 | 2010.09.15 | 本发明公开了一种提拉法晶体生长自动控制装置，包括支撑座、籽晶杆、称重室、重量传感器、滑动接触器、冷却 |
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